等离子清洗本质上属于等离子体刻蚀的轻度应用形式。典型的干式蚀刻设备由反应室、电源系统和真空装置组成。工件首先被送入真空反应室，通入工艺气体后与等离子体发生反应，最终反应产物通过真空泵排出。这一过程本质上属于反应性等离子体工艺的范畴。

最新技术进展体现在反应室内部的可调节搁架设计，用户可通过移除或调整搁架来适配三种等离子体刻蚀模式：反应离子蚀刻（RIE）、顺流等离子体（downstream）和直接等离子体（direction plasma）。

直接等离子体（即反应离子蚀刻）采用直接接触式蚀刻方式，其核心优势在于蚀刻速率高且均匀性好。虽然存在射线暴露风险，但实际损伤仅可能出现在重复高辐射条件下（60-120分钟持续处理），常规清洗场景中无需担忧。

顺流等离子体作为温和工艺方案，特别适用于10-50埃超薄层的去除需求。实验数据表明，在标准操作条件下，等离子体辐射对工件的潜在影响可忽略不计，该结论已通过大规模晶圆测试验证。