光刻胶是由感光树脂、增感剂和溶剂混合而成的液体，它的特性是遇到光线照射会改变内部结构。这东西最大的用处就是把模板上的图案精准复制到元器件上。根据显影方式不同，光刻胶分两种：正性胶和负性胶。正性胶被光照射的部分会溶解，负性胶正好相反，没被光照的部分才会溶解。

说到去除光刻胶，主要有干法和湿法两种路子。干法用的是等离子清洗技术，原理很巧妙：光刻胶主要成分是树脂、感光材料和有机溶剂，这些玩意儿的分子都是碳氢氧构成的长链结构。用含有氟、氧的等离子体去轰击，这些高活性原子会和光刻胶里的碳氢化合物发生反应，生成能挥发的气体，这样就把光刻胶层给干掉了。

等离子体这东西可不简单，它是物质的第四种状态（除了固液气之外）。简单说就是正离子和电子数量差不多的电离气体，里面啥都有：离子、电子、自由基、光子还有中性粒子。闪电和星云就是天然的等离子体。人工制造等离子体主要有加热和气体放电两种方法，工业上基本都用气体放电，因为好控制。

等离子体分两大类：

1. 高温等离子体：靠高温让分子原子撞来撞去产生电离，温度能飙到上万度

2. 低温等离子体：在低压环境下用电场激发产生，特点是电子能量高但整体温度低，常温就能用

在芯片制造里，差不多三分之一的工序都得去掉光刻胶。因为光刻胶在刻蚀或离子注入后就完成使命了，得从硅片上清理干净，还不能伤到底下的材料。这步要是没做好，直接影响芯片良率和生产成本。

以前主要用湿法去胶，就是把芯片泡在有机或无机溶液里。但这方法问题一大堆：去胶速度不好控制、容易留残胶、经常得反复处理。最要命的是会产生大量废酸废水，既污染环境又浪费水资源。

现在主流的干法工艺就聪明多了，利用光刻胶本身就是有机物的特性（主要是碳氢氧），配合低温等离子清洗技术，发展出了干法等离子光刻胶灰化工艺。具体原理是：光刻胶里的碳氢元素和氧等离子体产生的自由基反应，生成二氧化碳、水蒸气这些气体被抽走。

等离子清洗去胶有五大优势：

1. 操作简单效率高

2. 去得干净不留残渣

3. 不会划伤硅片

4. 温度低不伤材料

5. 不用酸碱溶剂，环保又省钱

正因为这些优点，这项技术越来越受重视，在生产线上的应用也越来越广。既降低了成本，又解决了环保难题，真正是一举两得的好方法。